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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
PEMB20,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD14,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD15,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD20,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMH17,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMH18,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMH20,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD48,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧,22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA / 100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA / 100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMA10NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):1 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMA11NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMA7NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMB1NTN
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMB8NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMG6NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMA8NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMB4NTN
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMB6NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMF28NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
*晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,150mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz,140MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMA6NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMC3NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMF23NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
*晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,150mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz,140MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD6,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DCX114EK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SC-74R | SC-74R |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74R
供应商器件封装:SC-74R
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DCX114TK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SC-74R | SC-74R |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 100µA,1mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100µA,1mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74R
供应商器件封装:SC-74R
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DCX114YK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SC-74R | SC-74R |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74R
供应商器件封装:SC-74R
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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