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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 安装类型 包装
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共 1652 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
PEMB20,115
10+: 0.7214 100+: 0.7085 1000+: 0.7021 3000+: 0.6827
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD14,115
10+: 0.7214 100+: 0.7085 1000+: 0.7021 3000+: 0.6827
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD15,115
10+: 0.7214 100+: 0.7085 1000+: 0.7021 3000+: 0.6827
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD20,115
10+: 0.7214 100+: 0.7085 1000+: 0.7021 3000+: 0.6827
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH17,115
10+: 0.6328 100+: 0.6215 1000+: 0.6159 3000+: 0.5989
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH18,115
10+: 0.6328 100+: 0.6215 1000+: 0.6159 3000+: 0.5989
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH20,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD48,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧,22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA / 100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA / 100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA10NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):1 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA11NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA7NTR
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMB1NTN
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMB8NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMG6NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA8NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMB4NTN
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMB6NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMF28NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 *晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz,140MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA6NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMC3NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 UMT5
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMF23NTR
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 *晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz,140MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD6,115
10+: 0.6328 100+: 0.6215 1000+: 0.6159 3000+: 0.5989
我要买
Nexperia USA Inc. SOT-563,SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX114EK-7-F
10+: 0.7467 100+: 0.7334 1000+: 0.7267 3000+: 0.7067
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Diodes Incorporated SC-74R SC-74R
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74R 供应商器件封装:SC-74R 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX114TK-7-F
10+: 0.7467 100+: 0.7334 1000+: 0.7267 3000+: 0.7067
我要买
Diodes Incorporated SC-74R SC-74R
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 100µA,1mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100µA,1mA *电流 - 集电极截止(最大值):- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74R 供应商器件封装:SC-74R 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX114YK-7-F
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Diodes Incorporated SC-74R SC-74R
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74R 供应商器件封装:SC-74R 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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