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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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PEMD18,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB18,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMH14,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMD24,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMH4,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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包装:-
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每包的数量:1
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PEMH16,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMD19,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMD17,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
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*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
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供应商器件封装:SOT-666
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包装:-
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PEMB3,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
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*功率 - 最大值:300mW
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封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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包装:-
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PEMB24,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
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*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB19,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
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*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB17,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
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不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
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*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
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*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB16,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
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*功率 - 最大值:300mW
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封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB14,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
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不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
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*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
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*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB1,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB10,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
PEMB13,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMB2,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMB4,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD10,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PEMD16,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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PEMD2,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMD4,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMH2,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PEMB15,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SOT-563,SOT-666 | SOT-666 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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