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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
PUMD18,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMD19,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMD30,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMH30,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMD10,125
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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PUMH9,125
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMH18,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC114EH-7
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBA123JDXV6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC144EPDXV6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114YDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC124EPDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC143TPDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC144EPDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMD4DXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧,10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMD4DXV6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧,10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114EPDXV6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBA114EDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114EDXV6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC123JPDXV6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC143ZDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC143ZPDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC144EDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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PIMD2,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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PIMH9,115
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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