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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 安装类型 包装
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共 1652 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
PUMD18,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD19,115
10+: 0.3923 100+: 0.3853 1000+: 0.3818 3000+: 0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD30,115
10+: 0.3923 100+: 0.3853 1000+: 0.3818 3000+: 0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH30,115
10+: 0.3923 100+: 0.3853 1000+: 0.3818 3000+: 0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD10,125
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH9,125
10+: 0.3923 100+: 0.3853 1000+: 0.3818 3000+: 0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH18,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDC114EH-7
10+: 0.6075 100+: 0.5966 1000+: 0.5912 3000+: 0.5749
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Diodes Incorporated SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBA123JDXV6T5G
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC144EPDXV6T5G
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC114YDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC124EPDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC143TPDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC144EPDXV6T1G
10+: 0.5569 100+: 0.5469 1000+: 0.5419 3000+: 0.5270
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
EMD4DXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧,10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
EMD4DXV6T5G
10+: 0.9619 100+: 0.9447 1000+: 0.9361 3000+: 0.9103
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧,10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC114EPDXV6T5G
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBA114EDXV6T1G
10+: 0.9998 100+: 0.9820 1000+: 0.9730 3000+: 0.9463
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC114EDXV6T5G
10+: 0.5569 100+: 0.5469 1000+: 0.5419 3000+: 0.5270
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC123JPDXV6T5G
10+: 0.6961 100+: 0.6837 1000+: 0.6774 3000+: 0.6588
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC143ZDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC143ZPDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC144EDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PIMD2,115
10+: 0.6201 100+: 0.6091 1000+: 0.6035 3000+: 0.5869
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Nexperia USA Inc. SC-74,SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PIMH9,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74,SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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