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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
PQMH10Z
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:350mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMH11Z
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMH13Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMH2Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMH9Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMA561060R
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Panasonic Electronic Components 5-SMD，扁平引线 SMINI5-F3-B
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SMINI5 *晶体管类型:2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI5-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC5610L0R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 5-SMD，扁平引线 SMINI5-F3-B
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 *晶体管类型:2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI5-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC5610N0R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 5-SMD，扁平引线 SMINI5-F3-B
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 *晶体管类型:2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI5-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC561030R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 5-SMD，扁平引线 SMINI5-F3-B
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 *晶体管类型:2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI5-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMA561020R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 5-SMD，扁平引线 SMINI5-F3-B
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SMINI5 *晶体管类型:2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI5-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD2,315
10+: ￥0.6201 100+: ￥0.6091 1000+: ￥0.6035 3000+: ￥0.5869
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH30,115
10+: ￥0.6328 100+: ￥0.6215 1000+: ￥0.6159 3000+: ￥0.5989
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH30,315
10+: ￥0.5569 100+: ￥0.5469 1000+: ￥0.5419 3000+: ￥0.5270
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMB30,115
10+: ￥0.7214 100+: ￥0.7085 1000+: ￥0.7021 3000+: ￥0.6827
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMB30,315
10+: ￥0.6201 100+: ￥0.6091 1000+: ￥0.6035 3000+: ￥0.5869
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD12,315
10+: ￥0.6201 100+: ￥0.6091 1000+: ￥0.6035 3000+: ￥0.5869
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD30,315
10+: ￥0.6201 100+: ￥0.6091 1000+: ￥0.6035 3000+: ￥0.5869
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD9,315
10+: ￥0.5569 100+: ￥0.5469 1000+: ￥0.5419 3000+: ￥0.5270
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH2,315
10+: ￥0.5569 100+: ￥0.5469 1000+: ￥0.5419 3000+: ￥0.5270
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH14,115
10+: ￥0.3923 100+: ￥0.3853 1000+: ￥0.3818 3000+: ￥0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD24,115
10+: ￥0.3923 100+: ￥0.3853 1000+: ￥0.3818 3000+: ￥0.3713
我要买
Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD20,115
10+: ￥0.3923 100+: ￥0.3853 1000+: ￥0.3818 3000+: ￥0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH19,115
10+: ￥0.3923 100+: ￥0.3853 1000+: ￥0.3818 3000+: ￥0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH24,115
10+: ￥0.3923 100+: ￥0.3853 1000+: ￥0.3818 3000+: ￥0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD14,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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