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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 安装类型 包装
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共 1652 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MUN5312DW1T2G
10+: 0.3544 100+: 0.3480 1000+: 0.3449 3000+: 0.3354
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ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:385mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5132DW1T1G
10+: 0.3670 100+: 0.3605 1000+: 0.3572 3000+: 0.3474
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ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5136DW1T1G
10+: 0.3164 100+: 0.3108 1000+: 0.3079 3000+: 0.2995
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ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD10,135
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD15,135
10+: 0.2911 100+: 0.2859 1000+: 0.2833 3000+: 0.2755
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH11F
10+: 0.2911 100+: 0.2859 1000+: 0.2833 3000+: 0.2755
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC-88 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1901,LF(CT
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 US6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):1 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2905FE,LF(CB
带卷(TR)
10+: 0.0633 100+: 0.0622 1000+: 0.0616 3000+: 0.0599
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Toshiba Semiconductor SOT-563,SOT-666 ES6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:ES6 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
PUMB1,115
10+: 0.3923 100+: 0.3853 1000+: 0.3818 3000+: 0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMB1,135
10+: 0.2911 100+: 0.2859 1000+: 0.2833 3000+: 0.2755
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD12,135
10+: 0.2911 100+: 0.2859 1000+: 0.2833 3000+: 0.2755
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz,180MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBA114EDP6T5G
10+: 0.9112 100+: 0.8950 1000+: 0.8868 3000+: 0.8624
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:338mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC123JPDP6T5G
10+: 0.5948 100+: 0.5842 1000+: 0.5789 3000+: 0.5630
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:339mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC123TPDP6T5G
10+: 0.5948 100+: 0.5842 1000+: 0.5789 3000+: 0.5630
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:339mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC124EPDP6T5G
10+: 0.9112 100+: 0.8950 1000+: 0.8868 3000+: 0.8624
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC143EPDP6T5G
10+: 0.5948 100+: 0.5842 1000+: 0.5789 3000+: 0.5630
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:339mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC144WPDP6T5G
10+: 0.5948 100+: 0.5842 1000+: 0.5789 3000+: 0.5630
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:339mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC114EPDP6T5G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-963 SOT-963
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:339mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC564020R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 6-SMD,扁平引线 SMINI6-F3-B
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):500µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:SMINI6-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMB11Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS PNP/PNP RET 6DFN *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:180MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMD10Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz,180MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMD13Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz,180MHz *功率 - 最大值:350mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMD16Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz,180MHz *功率 - 最大值:350mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMD2Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz,180MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PQMD3Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-XFDFN 裸露焊盘 DFN1010B-6
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN *晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA *电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz,180MHz *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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