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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
MUN5312DW1T2G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:385mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5132DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5136DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMD10,135
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMD15,135
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMH11F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC-88
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
RN1901,LF(CT
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | US6 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):1 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
RN2905FE,LF(CB
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Toshiba Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | ES6 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k
不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:100mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMB1,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMB1,135
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PUMD12,135
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:230MHz,180MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:6-TSSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBA114EDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:338mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC123JPDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:339mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC123TPDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:339mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC124EPDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC143EPDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:339mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC144WPDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:339mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114EPDP6T5G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-963 | SOT-963 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:339mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMC564020R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | 6-SMD,扁平引线 | SMINI6-F3-B |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
供应商器件封装:SMINI6-F3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PQMB11Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 |
描述:TRANS PNP/PNP RET 6DFN
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:180MHz
*功率 - 最大值:230mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:DFN1010B-6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PQMD10Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 |
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:230MHz,180MHz
*功率 - 最大值:230mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:DFN1010B-6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PQMD13Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 |
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:230MHz,180MHz
*功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:DFN1010B-6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PQMD16Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 |
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:230MHz,180MHz
*功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:DFN1010B-6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PQMD2Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 |
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:230MHz,180MHz
*功率 - 最大值:230mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:DFN1010B-6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PQMD3Z
Datasheet 规格书
ROHS
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Nexperia USA Inc. | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 |
描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:230MHz,180MHz
*功率 - 最大值:230mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:DFN1010B-6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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