描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V * 功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:210 @ 2mA，10V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:迷你型6-G4-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5 * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:210 @ 2mA，10V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:迷你型5-G3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:210 @ 2mA，10V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:迷你型6-G4-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 * 晶体管类型 :2 PNP（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 10mA，5V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363 * 晶体管类型 :2 PNP（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363 * 晶体管类型 :2 NPN（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 50V 0.5A MINI6 * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:160MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:迷你型6-G4-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6 * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :375mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A，1.25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V * 功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:180MHz，220MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :370mV @ 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 1.5A，2V * 功率 - 最大值:1.7W *频率 - 跃迁:190MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（3X2） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO * 晶体管类型 :8 NPN 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:18-SOIC（0.295"，7.50MM 宽） 供应商器件封装:18-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V * 功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:215MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 4NPN 40V 0.2A 16SOIC * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO * 晶体管类型 :8 NPN 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:18-SOIC（0.295"，7.50MM 宽） 供应商器件封装:18-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP * 晶体管类型 :8 NPN 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V * 功率 - 最大值:2.25W *频率 - 跃迁:- 工作温度:-20°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:18-DIP（0.300"，7.62MM） 供应商器件封装:18-DIP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223 * 晶体管类型 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V * 功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SOT-223 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 4NPN 35V 3A 10-SIP * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 500mA，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:10-SIP 供应商器件封装:10-SIP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC * 晶体管类型 :2 NPN（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC * 晶体管类型 :2 NPN（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC * 晶体管类型 :2 PNP（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO * 晶体管类型 :4 NPN（四）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC（3.90mm 宽） 供应商器件封装:14-SO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 * 晶体管类型 :2 NPN（双）配对 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:450MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 供应商器件封装:TO-78-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1