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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
DTC143ZETL
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMMUN2211LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50 SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBRN113ZT,215
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1.15V @ 8mA，800mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.15V @ 8mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBRN123YT,215
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1.15V @ 8mA，800mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.15V @ 8mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTB513ZETL
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 5mA，100mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:260MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DRDNB16W-7
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTD113ZKT146
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTB143EKT146
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTD114EKT146
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTD143EKT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2231LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:2.2 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 5mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2112LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2116LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTA143ZET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75，SOT-416 SC-75，SOT-416
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75，SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC123JET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75，SOT-416 SC-75
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN2111T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SC-59
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN2214T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SC-59
描述:TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5214T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:202mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA144ET,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA144ET,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5235T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:202mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC124EET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75，SOT-416 SC-75，SOT-416
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75，SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114TET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75，SOT-416 SC-75，SOT-416
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75，SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTA014YEBTL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-89，SOT-490 EMT3F
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC014EEBTL
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Rohm Semiconductor SC-89，SOT-490 EMT3F
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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