【辰科物联】晶体管 - 双极 (BJT) - 单晶体管 - 双极 (BJT)

制造商	封装/外壳	供应商器件封装	系列	晶体管类型	电流 - 集电极（ic）（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	安装类型	工作温度

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清空条件

共 15730 款产品满足条件

型号	制造商	封装/外壳	供应商器件封装	描述参数
KSC1173YTSTUA Datasheet 规格书 ROHS	10+: 100+: 1000+: 3000+: 我要买	ON Semiconductor	TO-220-3	TO-220-3	描述:TRANS NPN 30V 3A TO-220 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO）不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔工作温度:150°C（TJ）每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标签:
BUJ303AD,118 Datasheet 规格书 ROHS	10+: 100+: 1000+: 3000+: 我要买	WeEn Semiconductors	-	-	描述:TRANS NPN 1000V 5A 80W DPAK 晶体管类型:- 电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
PHE13005X/01,127 Datasheet 规格书 ROHS	10+: 100+: 1000+: 3000+: 我要买	WeEn Semiconductors	-	-	描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220F 晶体管类型:- 电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
KRC245S-RTK/P Datasheet 规格书 ROHS	10+: 100+: 1000+: 3000+: 我要买	KEC			描述: 晶体管类型:- 电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SC3324-GR Datasheet 规格书 ROHS	10+: 100+: 1000+: 3000+: 我要买	Toshiba Semiconductor	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TO-236	描述: 晶体管类型:- 电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标签: