描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 80 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 50 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP NPN 40 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP NPN 40 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 40 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP NPN 40 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 40 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 30 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 50 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 30 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP PNP 80 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SC-70 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标签:

描述:AUTOMOTIVE TRANS GEN PURP NPN 40 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT8015 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT8015 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT8015 标签:

描述:TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT883 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT883B 标签:

描述: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT883B 标签: