描述:TRANSISTOR NPN TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 250mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR NPN 80V TLM322S *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:1.45W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:3-TDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:TLM322 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 20mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:12 @ 40mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 20mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:12 @ 40mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 20mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:12 @ 40mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:90V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:50mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 2A，5V *功率 - 最大值:140W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标签:

描述:SMT TRANS BIPOLAR PWR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:340mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *功率 - 最大值:2.5W *频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:TLM833S 标签:

描述:SMT TRANS BIPOLAR PWR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:340mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *功率 - 最大值:2.5W *频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:TLM833S 标签:

描述:SMT TRANS BIPOLAR PWR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:420mV @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，1V *功率 - 最大值:2.5W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:TLM833S 标签:

描述:SMT TRANS BIPOLAR PWR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:420mV @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，1V *功率 - 最大值:2.5W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:TLM833S 标签:

描述:HIGH CURRENT TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2A，2V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:HIGH CURRENT TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2A，2V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:HIGH CURRENT TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2A，2V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 20A，5V *功率 - 最大值:200W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 10A，3V *功率 - 最大值:160W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 20A，5V *功率 - 最大值:200W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 20A，5V *功率 - 最大值:200W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 10A，3V *功率 - 最大值:160W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 10A，3V *功率 - 最大值:160W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:IC TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 10A，3V *功率 - 最大值:160W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR LNA NPN *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:625mW 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR LNA PNP *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 500µA，5V *功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:400mW 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR LNA PNP *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10µA，5V *功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:400mW 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR LNA NPN *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:600mW *频率 - 跃迁:600mW 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR LNA PNP *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 500µA，5V *功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:400mW 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: