描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，20V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:BISS *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:250mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 20mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:700mW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:BISS *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:290mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:BISS *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:SWITCHING TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:1.15W *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:SWITCHING TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:1.15W *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:SWITCHING TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:1.15W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:SWITCHING TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:1.15W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:SWITCHING TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *功率 - 最大值:1.15W *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:DARLINGTON TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20000 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:DARLINGTON TRANSISTOR *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20000 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:TRANS NPN 0.5A 80V *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:100 @ 100mA，1V *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANS NPN 0.5A 80V *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:100 @ 100mA，1V *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANSISTOR NPN DFN6 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:450mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:6-PowerVFDFN 供应商器件封装:TLM621 标签:

描述:TRANSISTOR NPN DFN6 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:450mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:6-PowerVFDFN 供应商器件封装:TLM621 标签:

描述:TRANSISTOR NPN DFN6 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:450mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:6-PowerVFDFN 供应商器件封装:TLM621 标签:

描述:TRANSISTOR PNP TO92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2A，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 250mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR PNP TO92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2A，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签: