描述:TRANS PNP HIGH VOLTAGE DIE *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.3W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.3W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.3W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.3W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.3W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:63 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:63 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:

描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.35W *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签: