描述:TRANSISTOR PNP TO-106 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-106-3 凸面镜 供应商器件封装:TO-106 标签:

描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:1.8W *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签:

描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:PNP *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 125°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:PNP *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 125°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:1.8W *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签:

描述:TRANSISTOR, PNP, -500V, -0.15A, *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 400V, 2A, 8A/A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 400mA，5V *功率 - 最大值:25W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（IPAK） 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 400V, 3A, 8A/A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *功率 - 最大值:30W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（IPAK） 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 400V, 4A, 8A/A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:17 @ 1A，5V *功率 - 最大值:35W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（IPAK） 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 450V, 2.5A, 18A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 600mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:30W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（IPAK） 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 450V, 5A, 25A/A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1A，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 200mA，3V *功率 - 最大值:45W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（IPAK） 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 70A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 120 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 200 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 300 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 400V, 3A, 5A/A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:24 @ 425mA，2V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标签:

描述:TRANSISTOR, PNP, -500V, -0.15A, *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TB100/TO-92/STANDARD MARKING * *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 150mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:14 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TB100/TO-92/STANDARD MARKING * *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 150mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:14 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANSISTOR GEN PURP *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:250mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标签:

描述:TRANSISTOR GEN PURP *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:250mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标签: