描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 5A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS PNP DARL 40V 2A TO-202 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25000 @ 200mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-202 长接片 供应商器件封装:TO-202 标签:

描述:TRANS PNP DARL 20A 100V DIE *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1mA *功率 - 最大值:1mA *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANS PNP DARL 20A 100V DIE *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1mA *功率 - 最大值:1mA *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANS PNP DARL 20A 100V DIE *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1mA *功率 - 最大值:1mA *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:

描述:TRANS PNP DARLINGTON DIE *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:

描述:TRANS PNP DARLINGTON DIE *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:

描述:TRANS PNP DARLINGTON DIE *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签:

描述:MOSFET N-CH LFPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标签:

描述:MOSFET N-CH DPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标签:

描述:MOSFET N-CH DPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 供应商器件封装:D2PAK 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-106 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 30mA，400mV *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-106-3 凸面镜 供应商器件封装:TO-106 标签:

描述:TRANSISTOR PNP TO-106 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 10mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-106-3 凸面镜 供应商器件封装:TO-106 标签: