描述:TRANS NPN 80V 1A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标签:

描述:TRANS NPN 45V SOT323-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:330mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:330mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANS PREBIAS NPN SOT23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，5V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR AF SOT23 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20000 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:360mW *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR AF SOT23 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10000 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:360mW *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR AF SOT23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:380 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:330mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR AF SOT23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标签:

描述:POWER TRANSISTOR PNP TO218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 5A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR PNP TO218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 5A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR NPN TO218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 5A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR NPN TO218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 5A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR NPN TO218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 6A，3V *功率 - 最大值:130W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR NPN TO218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 6A，3V *功率 - 最大值:130W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR PNP TO218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 6A，3V *功率 - 最大值:130W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR PNP TO218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:750 @ 6A，3V *功率 - 最大值:130W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR NPN TO218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:9A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:100W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:POWER TRANSISTOR NPN TO218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:115W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3A，4V *功率 - 最大值:80W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3A，4V *功率 - 最大值:80W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3A，4V *功率 - 最大值:80W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3A，4V *功率 - 最大值:80W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签:

描述:TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15A，4V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:TO-218 标签: