描述:TRANS NPN *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:325V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 5mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，5V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标签:

描述:TRANS NPN 60V *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，4V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标签:

描述:SMALL-SIGNAL BJT *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:100 @ 150mA，10V *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:

描述:SMALL-SIGNAL BJT *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:

描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 250mA，5V *功率 - 最大值:1.5W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 5mA，25mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 25mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 5mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 5mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 5mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:

描述:TRANSISTOR NPN TO-5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:

描述:BIPOLAR TRANSISTORS *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANS NPN 60V 3A TO 92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 150mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 1A，2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92AP 标签:

描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:30W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标签:

描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220FP *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *功率 - 最大值:60W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标签:

描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:

描述:TRANS PNP *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:25W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225-3 标签:

描述:TRANS NPN SOT-23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:TRANS NPN SOT23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANS NPN TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92（TO-226） 标签:

描述:TRANS NPN SOT23 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANS PNP TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANS PNP TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92（TO-226） 标签:

描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 4A，4V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标签: