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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
6385_2N2907A
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ON Semiconductor TO-206AA，TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:TRANS PNP GENERAL PURPOSE *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签:
6585_2N4209
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ON Semiconductor 模具 模具
描述:TRANS PNP GENERAL PURPOSE *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:850MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:
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ON Semiconductor 模具 模具
描述:TRANS PNP GENERAL PURPOSE *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:
6785_2N4033
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ON Semiconductor 模具 模具
描述:TRANS PNP GENERAL PURPOSE *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 100µA，5V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签:
FJV92MTF
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:PNP 350V/0.5A TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:40 @ 10mA，10V *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
2N5012
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN SILICON TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 25mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
2N5013
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN SILICON TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
2N5014
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN SILICON TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
2N5015
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN SILICON TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1000V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JANTXV2N3251A
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:360mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标签:
JAN2N5012
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 25mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 25mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
JAN2N5013
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
JAN2N5015
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1000V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JAN2N5015S
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:NPN TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1000V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
JANTX2N5012
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 25mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JANTX2N5012S
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 25mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
JANTX2N5013
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JANTX2N5013S
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
JANTX2N5014
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JANTX2N5014S
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Microsemi Corporation TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TO-39（TO-205AD）
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39（TO-205AD） 标签:
JANTX2N5015
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AA，TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:PNP TRANSISTOR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1000V 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 20mA，10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
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