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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
JAN2N6193
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS PNP 100V 5A TO39 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.2V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 2A,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JAN2N6249
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS NPN 200V 10A TO-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):10 @ 10A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTX2N6249
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS NPN 200V 10A TO-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):10 @ 10A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTXV2N6249
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:DIODE *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):10 @ 10A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JAN2N6250
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS NPN 275V 10A TO-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):275V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.25A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):8 @ 10A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTXV2N6250
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS NPN 275V 10A TO-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):275V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.25A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):8 @ 10A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JAN2N6284
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 200mA,20A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1250 @ 10A,3V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTX2N6286
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS PNP DARL 80V 20A TO-3 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 200mA,20A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1250 @ 10A,3V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JANTX2N6306
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN 250V 8A TO3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 2A,8A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):15 @ 3A,5V *功率 - 最大值:125W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JAN2N6385
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO3 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JAN2N6546
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN 300V 15A TO3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 3A,15A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):12 @ 5A,2V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JANTX2N6546
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN 300V 15A TO3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 3A,15A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):12 @ 5A,2V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JANTXV2N6546
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN 300V 15A TO3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 3A,15A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):12 @ 5A,2V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JANTXV2N6547
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN 400V 15A TO3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 3A,15A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):12 @ 5A,2V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JAN2N918
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Microsemi Corporation TO-72-3 金属罐 TO-72
描述:TRANS NPN 15V 0.05A TO72 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):400mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 3mA,1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-72-3 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标签:
JANTX2N5661
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Microsemi Corporation TO-213AA,TO-66-2 TO-66
描述:TRANS NPN 300V 2A TO-66 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):800mV @ 400mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):25 @ 500mA,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 供应商器件封装:TO-66 标签:
JANTXV2N6287
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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MACOM Technology Solutions TO-204AA,TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:DIODE *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 40mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 6A,3V *功率 - 最大值:175W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTXV2N6678
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MACOM Technology Solutions TO-204AA,TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:DIODE *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 3A,15A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):15 @ 1A,3V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTXV2N5684
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS NPN 80V 50A TO-204AA *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 10A,50A 电流 - 集电极截止(最大值):5µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 5A,2V *功率 - 最大值:300W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
2N6234
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-213AA,TO-66-2 TO-66
描述:TRANS PNP 275V 5A TO-66 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):275V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):25 @ 5A,275V *功率 - 最大值:50W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 供应商器件封装:TO-66 标签:
2N6671
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-3
描述:TRANS PNP 300V 8A TO-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):10 @ 8A,300V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标签:
KSE182PWD
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor - -
描述:TRANSISTOR NPN 80V DIP *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.7V @ 600mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,1V *功率 - 最大值:1.5W *频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:- 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2N4235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-205AD
描述:TRANS PNP 60V 1A TO205AD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 100mA,1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-205AD 标签:
S1JVNJD2873T4G
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ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:TRANSISTOR PNP BIPO *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1.68W *频率 - 跃迁:65MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
FJP13007H2TU-F080
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-220-3 TO-220-3
描述:TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 2A,8A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):8 @ 2A,5V *功率 - 最大值:80W *频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标签:
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