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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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共 15730 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
JANTXV2N3997
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Microsemi Corporation TO-111-4,接线柱 TO-111
描述:TRANS NPN 80V 10A TO111 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 1A,2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座,接线柱安装 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-111-4,接线柱 供应商器件封装:TO-111 标签:
JANTX2N3999
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Microsemi Corporation TO-210AA,TO-59-4,接线柱 TO-59
描述:TRANS NPN 80V 10A TO59 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 1A,2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座,接线柱安装 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-210AA,TO-59-4,接线柱 供应商器件封装:TO-59 标签:
2N4033UB
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Microsemi Corporation 3-SMD,无引线 UB
描述:TRANS PNP 80V 1A *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标签:
JANTX2N4261UB
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Microsemi Corporation 3-SMD,无引线 UB
描述:TRANS PNP 15V 0.03A *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):350mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 10mA,1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标签:
2N4405
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Microsemi Corporation - -
描述:TRANS PNP TO-39 *晶体管类型:- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
JANTX2N5004
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Microsemi Corporation TO-210AA,TO-59-4,接线柱 TO-59
描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 2.5A,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座,接线柱安装 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-210AA,TO-59-4,接线柱 供应商器件封装:TO-59 标签:
JAN2N5153
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS PNP 80V 2A TO-39 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 2.5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JAN2N5154
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS NPN 80V 2A TO-39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 2.5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTX2N5154
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:DIODE *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 2.5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTXV2N5154
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:DIODE *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 2.5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTXV2N5154L
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS NPN 80V 2A TO5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 2.5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JANTXV2N5237
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS NPN 120V 10A TO-5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2.5V @ 1A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JAN2N5415
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS PNP 200V 1A TO-5 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 50mA,10V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JAN2N5416
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS PNP 300V 1A TO5 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 50mA,10V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JAN2N5416S
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS PNP 300V 1A TO-39 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 50mA,10V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTXV2N5416S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS PNP 300V 1A TO-39 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 50mA,10V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTXV2N5664
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Microsemi Corporation TO-213AA,TO-66-2 TO-66(TO-213AA)
描述:TRANS NPN 200V 5A TO66 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 5A,1A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,5V *功率 - 最大值:2.5W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 供应商器件封装:TO-66(TO-213AA) 标签:
JANTXV2N5666
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS NPN 200V 5A TO5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 5A,1A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,5V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JAN2N5666S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS NPN 200V 5A TO39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 5A,1A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,5V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTX2N5666S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS NPN 200V 5A TO39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 5A,1A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,5V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JAN2N5667S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS NPN 300V 5A TO39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 1A,5A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):25 @ 1A,5V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTX2N5667S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS NPN 300V 5A TO39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 1A,5A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):25 @ 1A,5V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTXV2N5667S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS NPN 300V 5A TO39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 1A,5A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):25 @ 1A,5V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTXV2N5680
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:DIODE *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 250mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JAN2N6051
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 120mA,12A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 6A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
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