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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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共 15730 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
JANTXV2N4029
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:TRANS PNP 80V 1A TO18 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签:
JANTXV2N4033
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39
描述:TRANS PNP 80V 1A TO39 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标签:
JANTXV2N5582
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Microsemi Corporation TO-206AB,TO-46-3 金属罐 TO-46-3
描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO46 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AB,TO-46-3 金属罐 供应商器件封装:TO-46-3 标签:
MMBT2907-D87Z
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
MMBT5401-D87Z
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10mA,5V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
JAN2N1482
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS NPN 55V 1.5A TO-5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):55V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):750mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):5µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):35 @ 200mA,4V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JAN2N2945A
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Microsemi Corporation TO-206AB,TO-46-3 金属罐 TO-46
描述:TRANS PNP 20V 0.1A TO-46 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 1mA,500mV *功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AB,TO-46-3 金属罐 供应商器件封装:TO-46 标签:
JAN2N6299
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Microsemi Corporation TO-213AA,TO-66-2 TO-213AA,TO-66-2
描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-213AA *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 16mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):750 @ 4A,3V *功率 - 最大值:64W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 供应商器件封装:TO-213AA,TO-66-2 标签:
JAN2N6351
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Microsemi Corporation TO-205AC,TO-33-4 金属罐 TO-33
描述:TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):150V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2.5V @ 10mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AC,TO-33-4 金属罐 供应商器件封装:TO-33 标签:
JANTX2N1486
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Microsemi Corporation TO-233AA,TO-8-3 金属罐 TO-8
描述:TRANS NPN 55V 3A TO-8 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):55V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):750mV @ 40mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):15µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):35 @ 750mA,4V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-233AA,TO-8-3 金属罐 供应商器件封装:TO-8 标签:
JANTX2N1613
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39
描述:TRANS NPN 30V 0.5A TO-39 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标签:
JANTX2N3055
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-3(TO-204AA)
描述:TRANS NPN 70V 15A TO-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):70V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 3.3A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3(TO-204AA) 标签:
JANTX2N3251A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39(TO-205AD)
描述:TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *功率 - 最大值:360mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39(TO-205AD) 标签:
JANTX2N3439UA
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Microsemi Corporation 4-SMD,无引线 UA
描述:TRANS NPN 350V 1A UA *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):350V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):2µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 20mA,10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:4-SMD,无引线 供应商器件封装:UA 标签:
JANTX2N3960
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:TRANS NPN 12V TO-18 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10mA,1V *功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签:
JANTX2N4405
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39
描述:TRANS NPN TO-39 *晶体管类型:- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标签:
JANTX2N5109
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TO-39
描述:TRANS NPN TO-39 *晶体管类型:- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标签:
JANTX2N6298
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-213AA,TO-66-2 TO-213AA,TO-66-2
描述:TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):750 @ 4A,3V *功率 - 最大值:64W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 供应商器件封装:TO-213AA,TO-66-2 标签:
JANTX2N6650
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-204AA(TO-3)
描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 100µA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:5W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-204AA(TO-3) 标签:
JANTXV2N2432A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-18 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):0.15mV @ 500µA,10V 电流 - 集电极截止(最大值):10nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 1mA,5V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签:
JANTXV2N5662
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-205AA,TO-5-3 金属罐 TO-5
描述:TRANS NPN 200V 2A TO-5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):800mV @ 400mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 500mA,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标签:
JANTXV2N6052
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-204AA,TO-3 TO-3
描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 120mA,12A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 6A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标签:
MMBT4403-D87Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
JAN2N1479
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation - -
描述:TRANS NPN 60V 1.5A *晶体管类型:- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
JAN2N1485
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-233AA,TO-8-3 透镜顶部金属罐 TO-8
描述:TRANS NPN 40V 3A *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):750mV @ 40mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):15µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):35 @ 750mA,4V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-233AA,TO-8-3 透镜顶部金属罐 供应商器件封装:TO-8 标签:
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