描述:PNP LN 150V AMP TRANSISTOR TO92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:NPN LL AMP TRANSISTOR TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:PNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，10V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:PNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2mA，4.5V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 35mA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 350mA，1V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANS NPN MED PWR 30V 2A TO-237 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 标签:

描述:TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 标签:

描述:TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:4000 @ 1A，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 标签:

描述:IC TRANS PNP SS GP 100MA SOT-23 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:310mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR NPN AMP SOT-23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT-23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23 *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20000 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:220MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR NPN 45V 1.5A SOT-223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:1.5W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223-4 标签:

描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:380 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:

描述:TRANSISTOR PNP 120V 600MA TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，5V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签:

描述:TRANS PNP 400V 0.5A TO-126 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126-3 标签:

描述:TRANS PNP 400V 0.5A TO-126 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126-3 标签:

描述:TRANS PNP 150V 0.6A SSOT-6 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 10mA，5V *功率 - 最大值:700mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:SuperSOT™-6 标签:

描述:TRANS PNP 60V 5A TO-126 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2A，1V *功率 - 最大值:1.3W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126-3 标签:

描述:TRANS NPN 350V 10A TO-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1.67A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:6 @ 10A，3V *功率 - 最大值:5.5W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标签:

描述:TRANS NPN 45V 4A DPAK-4 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:20µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:85 @ 500mA，1V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: