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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BC856W/ZLX
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NXP USA Inc. - -
描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
BCP69-16/DG,115
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NXP USA Inc. TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANSISTOR PNP *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
BSR16/LF1R
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NXP USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TO-236AB
描述:TRANSISTOR PNP *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标签:
BUK9675-100A/C1J
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NXP USA Inc. - -
描述:MOSFET N-CH LFPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
BUK9Y11-30B/C1,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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NXP USA Inc. - -
描述:MOSFET N-CH LFPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
MMBT2907A-13
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:310mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
MMBT3904-13
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:310mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
MMBT3904T-13
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Diodes Incorporated SOT-523 SOT-523
描述:TRANS NPN 40V 200MA SOT523 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标签:
MMBT3906-13
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:310mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
MMBT3906T-13
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Diodes Incorporated SOT-523 SOT-523
描述:TRANS PNP 40V 200MA SOT-523 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标签:
FMMT494QTC
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 120V 1ASOT23 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，10V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
DXT2011P5Q-13
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Diodes Incorporated PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
描述:PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *功率 - 最大值:3.2W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:PowerDI™ 5 供应商器件封装:PowerDI™ 5 标签:
SDBN500B01-7
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS NPN 500MQ SOT363 *晶体管类型:NPN + 二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 20mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签:
2SA1836-T1-A
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR PNP USM SC-75 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SC4783-T1-A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN USM SC-75 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SC4901YK-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN CMPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SC4901YK-TR-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN CMPAK *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SC4926YD-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN MPAK-4 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SD2425-T1-AZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
2SJ358C(0)-T1-AZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
KA4A4M(0)-T1-AT
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN USM SC-75 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
KA4F3R(0)-T1-A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN USM SC-75 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
KA4L4M(0)-T1-A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN USM SC-75 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
KN4A4M(0)-T1-A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN USM SC-75 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
CE2F3P-T-AZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America - -
描述:TRANSISTOR NPN *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 安装类型:- 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签:
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