描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:800MW *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:600MW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:400MW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:97 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:310mW *频率 - 跃迁:600MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:400MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900MW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:800MW *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:400MW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR PNP SOT883 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:100MW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR PNP 20V TO-92S *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:820mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:400MW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:200V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，10V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20000 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:830MW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 1A，2V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:75MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR PNP 20V TO-92S *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:820mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:400MW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:250MW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 150mA，10V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签: