描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:190 @ 1mA，4V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:112 @ 1mA，4V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANS NPN 100V TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 1A，2V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:75MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:450MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:144 @ 1mA，4V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANS NPN 350V TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 30mA，10V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR PNP 50V TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:85 @ 500mA，10V *功率 - 最大值:750MW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92L 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:144 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:144 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR PNP 50V TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:85 @ 500mA，10V *功率 - 最大值:750MW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92L 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900MW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:900MW *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:190 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:750MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA） 成形引线 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:190 @ 50mA，1V *功率 - 最大值:625MW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:63 @ 150mA，2V *功率 - 最大值:830MW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR NPN SOT883 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *功率 - 最大值:100MW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标签: