描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:750mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 50mA，2V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，2V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，2V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 50mA，2V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:- 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:30V 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:30V 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:30V 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 70mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:600mW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 70mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:600mW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 70mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:600mW *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:600mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签: