描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:82 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，6V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 2A，6V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2A，6V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2A，6V *功率 - 最大值:625mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:250mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:250mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:250mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 1mA，6V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:55V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，12V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

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描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:55V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 2mA，12V *功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:200mW *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92S 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:600mW *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2A，2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2A，2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:85 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:

描述:TRANSISTOR TO-92 MOD *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:通孔 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 供应商器件封装:TO-92MOD 标签: