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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
2SC4881(CANO,F,M)
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，1V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4881,LS1SUMIF(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，1V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4935-Y,Q(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 3A 50V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5171(LBS2MATQ,M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 2A 180V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5171(ONK,Q,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 2A 180V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5171,MATUDQ(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 2A 180V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5171,ONKQ(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 2A 180V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5171,Q(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 2A 180V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5172(YAZK,Q,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 5A 400V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 250mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:20µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5201(T6MURATAFM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 20mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC5201(TE6,F,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 20mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC5201,F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 20mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC5201,T6F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 20mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC5201,T6MURAF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 20mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC5459(TOJS,Q,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 3A 400V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 150mA，1.2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 300mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC5549,T6F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 1A 400V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 25mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 40mA，5V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC5930(T2MITUM,FM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC5930(TPF2,F,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC6010(T2MITUM,FM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC6040(TPF2,Q,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 800V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC6040,T2Q(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 800V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:800V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC6042,T2HOSH1Q(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC6042,T2WNLQ(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC6139,T2F(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 1.5A 160V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:140 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SD2129,ALPSQ(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，3V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
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