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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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2SC3665-Y,T2NSF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800mA
电压 - 集射极击穿(最大值):120V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:120MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3665-Y,T2YNSF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800mA
电压 - 集射极击穿(最大值):120V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:120MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3668-O,T2CLAF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3668-Y,F2PANF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3668-Y,T2F(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3668-Y,T2F(M
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3668-Y,T2WNLF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 80V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3669-Y,T2PASF(M
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 2A 80V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC3672-O(T2ASH,FM
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-71 | MSTM |
描述:TRANS NPN 100MA 300V SC71
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):300V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 20mA,10V
*功率 - 最大值:1W
*频率 - 跃迁:80MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SC-71
供应商器件封装:MSTM
标签:
|
|
2SC4604,F(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 长体 | TO-92MOD |
描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 100mA,2V
*功率 - 最大值:900mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:TO-92MOD
标签:
|
|
2SC4604,T6F(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 长体 | TO-92MOD |
描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 100mA,2V
*功率 - 最大值:900mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:TO-92MOD
标签:
|
|
2SC4604,T6F(M
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 长体 | TO-92MOD |
描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 100mA,2V
*功率 - 最大值:900mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:TO-92MOD
标签:
|
|
2SC4682,T6CSF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 长体 | TO-92MOD |
描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3A
电压 - 集射极击穿(最大值):15V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 30mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):800 @ 500mA,1V
*功率 - 最大值:900mW
*频率 - 跃迁:150MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:TO-92MOD
标签:
|
|
2SC4682,T6F(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 长体 | TO-92MOD |
描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3A
电压 - 集射极击穿(最大值):15V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 30mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):800 @ 500mA,1V
*功率 - 最大值:900mW
*频率 - 跃迁:150MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:TO-92MOD
标签:
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2SC4793(LBSAN,F,M)
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
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2SC4793(PAIO,F,M)
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
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2SC4793,F(J
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
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2SC4793,HFEF(J
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
|
2SC4793,HFEF(M
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
|
2SC4793,NSEIKIF(J
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
|
2SC4793,TOA1F(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
|
2SC4793,WNLF(J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
|
2SC4793,YHF(J
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
|
|
2SC4793,YHF(M
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-220-3 整包 | TO-220NIS |
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):230V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V
*功率 - 最大值:2W
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
标签:
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