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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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共 15730 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
2SC3665-Y,T2NSF(J
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3665-Y,T2YNSF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3668-O,T2CLAF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3668-Y,F2PANF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3668-Y,T2F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3668-Y,T2F(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3668-Y,T2WNLF(J
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 50V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3669-Y(T2OMI,FM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 80V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3669-Y,T2PASF(M
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 2A 80V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 500mA,2V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC3672-O(T2ASH,FM
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 100MA 300V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 20mA,10V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
2SC4604,F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC4604,T6F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC4604,T6F(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC4682,T6CSF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):15V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 30mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):800 @ 500mA,1V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC4682,T6F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体 TO-92MOD
描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):15V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 30mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):800 @ 500mA,1V *功率 - 最大值:900mW *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标签:
2SC4793(LBSAN,F,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793(PAIO,F,M)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,HFEF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,HFEF(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,NSEIKIF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,TOA1F(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,WNLF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,YHF(J
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
2SC4793,YHF(M
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-220-3 整包 TO-220NIS
描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量:- 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标签:
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