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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
2SC2655-O,F(J
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 TO-92MOD
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 LSTM
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 LSTM
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Toshiba Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 长体 LSTM
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
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Toshiba Semiconductor SC-71 MSTM
描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标签:
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