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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
MMBT2222ALT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:TRANS NPN 40V 600MA SOT23
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V
*功率 - 最大值:225mW
*频率 - 跃迁:300MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
|
|
MMBT2907ALT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3
*晶体管类型:PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):60V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V
*功率 - 最大值:300mW
*频率 - 跃迁:200MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
标签:
|
|
MMBT3906LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
3000
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3
*晶体管类型:PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V
*功率 - 最大值:300mW
*频率 - 跃迁:250MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:3000
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
标签:
|
|
MMBT3904LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
盘
3000
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V
*功率 - 最大值:300mW
*频率 - 跃迁:300MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:3000
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
标签:
|
|
MMBT3904-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V
*功率 - 最大值:300mW
*频率 - 跃迁:300MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
|
|
MMBT2222A-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V
*功率 - 最大值:310mW
*频率 - 跃迁:300MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
|
|
MMBT2222A-TP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Micro Commercial Co | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V
*功率 - 最大值:350mW
*频率 - 跃迁:300MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
|
|
BC817-40,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):45V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250 @ 100mA,1V
*功率 - 最大值:250mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
|
|
BC817-40,235
Datasheet 规格书
ROHS
盘
10000
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:TRANS NPN 45V 500MA TO236AB
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):45V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250 @ 100mA,1V
*功率 - 最大值:250mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:10000
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
|
|
MMBT3904
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V
*功率 - 最大值:350mW
*频率 - 跃迁:270MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
|
|
MMBT2907A
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
*晶体管类型:PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):60V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V
*功率 - 最大值:350mW
*频率 - 跃迁:200MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
|
|
MMBT3906
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
*晶体管类型:PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V
*功率 - 最大值:350mW
*频率 - 跃迁:250MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
|
|
MMBT2222A
Datasheet 规格书
ROHS
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Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V
*功率 - 最大值:350mW
*频率 - 跃迁:270MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
|
|
MMBT4401
Datasheet 规格书
ROHS
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Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):750mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,1V
*功率 - 最大值:350mW
*频率 - 跃迁:250MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
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|
BC847BT-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | SOT-523 | SOT-523 |
描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT523
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):45V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V
*功率 - 最大值:150mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SOT-523
供应商器件封装:SOT-523
标签:
|
|
MMBT3904T-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-523 | SOT-523 |
描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT523
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V
*功率 - 最大值:150mW
*频率 - 跃迁:300MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:SOT-523
供应商器件封装:SOT-523
标签:
|
|
DSC2A01T0L
Datasheet 规格书
ROHS
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Panasonic Electronic Components | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 迷你型3-G3-B |
描述:TRANS NPN 40V 0.05A MINI3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 2mA,10V
*功率 - 最大值:200mW
*频率 - 跃迁:150MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:迷你型3-G3-B
标签:
|
|
2SC3326-B,LF
Datasheet 规格书
ROHS
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Toshiba Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TO-236 |
描述:TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300mA
电压 - 集射极击穿(最大值):20V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):350 @ 4mA,2V
*功率 - 最大值:150mW
*频率 - 跃迁:30MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:125°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:TO-236
标签:
|
|
FMMTA42TA
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):300V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V
*功率 - 最大值:330mW
*频率 - 跃迁:50MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
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BCP56T3G
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 |
描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-223
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,2V
*功率 - 最大值:1.5W
*频率 - 跃迁:130MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223
标签:
|
|
BCP56T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 |
描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,2V
*功率 - 最大值:1.5W
*频率 - 跃迁:130MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223
标签:
|
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FMMT495TA
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS NPN 150V 1A SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):150V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):10 @ 250mA,10V
*功率 - 最大值:500mW
*频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
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FMMT6517TA
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):350V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 50mA,10V
*功率 - 最大值:330mW
*频率 - 跃迁:50MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
|
|
NSS40201LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):115mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V
*功率 - 最大值:460mW
*频率 - 跃迁:150MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
标签:
|
|
BCX56-16,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-243AA | SOT-89-3 |
描述:TRANS NPN 80V 1A SOT89
*晶体管类型:NPN
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
*不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V
*功率 - 最大值:1.25W
*频率 - 跃迁:180MHz
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
每包数量:-
封装/外壳:TO-243AA
供应商器件封装:SOT-89-3
标签:
|