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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电压 功率耗散（最大值） 电压 - 输出 电压 - 偏移（vt） 电流 - 栅极至阳极漏（igao） 电流 - 谷值（iv） 电流 - 峰值
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
CMPP6028 TR
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Central Semiconductor Corp TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 -
描述:PROGRAMMABLE UJT SOT-23 *电压:40V *功率耗散（最大值:167mW *电压 - 输出:6V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标签:
2N6027RLRA
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:50μA *电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
2N6028RLRA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
2N6027RLRAG
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
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2N6028RLRAG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） -
描述:TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:50μA *电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:- 标签:
2N6027RL1
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:- 标签:
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
2N6027RL1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:50μA *电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
2N6028RLRMG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
2N6028RLRPG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 *电压:40V *功率耗散（最大值:300mW *电压 - 输出:11V *电压 - 偏移（vt）:600mV 电流 - 栅极至阳极漏（igao）:10nA *电流 - 谷值（iv）:25μA *电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:- 标签:
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