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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FGB5N60UNDF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
FGB7N60UNDF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB4M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB5H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB6M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
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*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB7H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
AOB5B65M1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
AOB5B60D-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
VBL16I07
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB10H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB10M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB10NC60HD-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB10NC60KDT4-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
AOB10B65M1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
IKB10N60T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
AOB10B60D-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
VBL16I10
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB14NC60KDT4-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB7NC60HD-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB15H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB15M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
AOB15B65MQ1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
AOB15B60D-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
VBL16I15
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
NGTB50N60L2WG-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|