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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
IKW50N65ET7-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKWH60N65WR6-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKW60N60H3-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKW50N65SS5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKW50N65ES5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKW50N60DTP-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKW30N65EL5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKWH50N65EH7-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKD06N65ET6-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
IKD06N60R-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
IKD06N60RF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
FGD3N60UNDF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
FGD3N60LSDTM-T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
STGD4M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
STGD4H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
STGD3HF60HDT4-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
STGD5H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
STGD6M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
STGD6NC60HDT4-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
AOD5B65MQ1E-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
AOD5B60D-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
AOD5B65M1H-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
AOD5B65N1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
AOD5B65M1E-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|
||
AOD6B60M1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
VBsemi(微碧半导体) | TO252 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO252
标签:
包装:-
数量:2500
每包的数量:1
|