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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
IKP20N65F5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
IKP20N65H5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
FGP20N60UFDTU-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP19NC60KD-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP19NC60SD-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP20H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP20IH65DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP20M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP20V60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
AOT20B65M1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
IKP20N60T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
VBM16I20
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP30H60DFB-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGP30M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT；TO220；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGB30H65DFB2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGB30M65DF2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
STGB30V60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
AOB30B65LN2V-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
VBL16I30
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
|
|
|
IHW20N120R5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
|
|
|
IKW15N120CS7-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
|
|
|
IKW25N120H3-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
|
|
|
IKW25T120-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
|
|
|
IKW25N120T2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
|
|
|
IHW25N120E1-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO247 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:-
*电流 - 集电极（ic）（最大值）:-
*功率 - 最大值:-
不同?vge，ic 时的?vce（on）:-
电流 - 集电极截止（最大值）:-
不同?vce 时的输入电容（cies）:-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO247
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|