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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
QID1210006
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. - -
描述:IGBT MODULE 1200V 100A 570W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):6.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
QID1210007
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. - -
描述:IGBT MODULE 1200V 100A 730W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:730W 不同?vge,ic 时的?vce(on):6.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
QID1215003
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. - -
描述:IGBT MODULE 1200V 150A 960W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:960W 不同?vge,ic 时的?vce(on):6.5V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
VS-GA200HS60S1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-Pak INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:830W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.21V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32.5nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-Pak 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
VS-GA100TS60SF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-Pak INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK igbt 类型:PT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:780W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.28V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-Pak 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
VS-GT75LP120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-Pak INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-Pak 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
CM100TX-24T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 565W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:565W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20.5nF @ 10V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
CM225DX-24T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 225A 1470W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:1470W 不同?vge,ic 时的?vce(on):17.5V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):55nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
CM100TJ-24F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 390W igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:390W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):39nF @ 10V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
CM75TJ-24F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 357W igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:357W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):29nF @ 10V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-150MT060WDF-P
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 12-MTP 模块 12-MTP 压入
描述:IGBT MOD 600V 138A 12MTP PRESS igbt 类型:- *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):138A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.48V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:12-MTP 压入 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-GB100YG120NT
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 模块 ECONO3 4PACK
描述:IGBT MOD 1200V 127A ECONO3 4PACK igbt 类型:NPT *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):127A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容(cies):80µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ECONO3 4PACK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-GB150YG120NT
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 模块 ECONO3 4PACK
描述:IGBT MOD 1200V 182A ECONO3 4PACK igbt 类型:NPT *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):182A *功率 - 最大值:892W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):120µA 不同?vce 时的输入电容(cies):120µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ECONO3 4PACK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-GT120DA65U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,miniBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):167A *功率 - 最大值:577W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.6nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
CM150RX-24S1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 935W igbt 类型:- *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:935W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):15nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
VS-GB100TS120NPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-Pak INT-A-PAK
描述:IGBT MODULE INT-A-PAK igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):半桥 *电流 - 集电极(ic)(最大值):半桥 *功率 - 最大值:半桥 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度: 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-Pak 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
VS-VSHPS1445
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay - -
描述:MOSFET MODULE SIP SWITCH igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
alt IKB15N60T-VB
1000
10+: 5.5433 100+: 5.4443 1000+: 5.3948 3000+: 5.2464
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VBsemi(微碧半导体) TO263
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO263 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt IKB20N65EH5-VB
1000
10+: 8.0492 100+: 7.9055 1000+: 7.8336 3000+: 7.6180
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VBsemi(微碧半导体) TO263
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO263 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt HGT1S12N60A4DS-VB
1000
10+: 8.0492 100+: 7.9055 1000+: 7.8336 3000+: 7.6180
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VBsemi(微碧半导体) TO263
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO263 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt STGB20H65DFB2-VB
1000
10+: 8.0492 100+: 7.9055 1000+: 7.8336 3000+: 7.6180
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VBsemi(微碧半导体) TO263
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO263 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt VBL16I25S
1000
10+: 8.0998 100+: 7.9552 1000+: 7.8829 3000+: 7.6659
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VBsemi(微碧半导体) TO263
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO263 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt IKP15N65H5-VB
1000
10+: 5.3661 100+: 5.2703 1000+: 5.2224 3000+: 5.0787
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VBsemi(微碧半导体) TO220
描述:IGBT;TO220;600/650V;15A;VCEsat_1.7V@VGE=15V; igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO220 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt IKP15N65F5-VB
1000
10+: 5.3661 100+: 5.2703 1000+: 5.2224 3000+: 5.0787
我要买
VBsemi(微碧半导体) TO220
描述:IGBT;TO220;600/650V;15A;VCEsat_1.7V@VGE=15V; igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO220 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
alt IKP15N60T-VB
1000
10+: 5.3661 100+: 5.2703 1000+: 5.2224 3000+: 5.0787
我要买
VBsemi(微碧半导体) TO220
描述:IGBT;TO220;600/650V;15A;VCEsat_1.7V@VGE=15V; igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:TO220 标签: 包装:- 数量:1000 每包的数量:1
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