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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
QID1210006
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 100A 570W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:570W
不同?vge,ic 时的?vce(on):6.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 10V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
QID1210007
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 100A 730W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:730W
不同?vge,ic 时的?vce(on):6.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 10V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
QID1215003
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 150A 960W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:960W
不同?vge,ic 时的?vce(on):6.5V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 10V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
VS-GA200HS60S1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-Pak | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):480A
*功率 - 最大值:830W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.21V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):32.5nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-Pak
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
VS-GA100TS60SF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-Pak | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
igbt 类型:PT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.28V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-Pak
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
VS-GT75LP120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-Pak | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:543W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-Pak
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
CM100TX-24T
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 565W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:565W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20.5nF @ 10V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
CM225DX-24T
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 225A 1470W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:1470W
不同?vge,ic 时的?vce(on):17.5V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):55nF @ 10V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
CM100TJ-24F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 390W
igbt 类型:沟道
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:390W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):39nF @ 10V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
CM75TJ-24F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 357W
igbt 类型:沟道
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:357W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):29nF @ 10V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
VS-150MT060WDF-P
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 12-MTP 模块 | 12-MTP 压入 |
描述:IGBT MOD 600V 138A 12MTP PRESS
igbt 类型:-
*配置:双路降压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):138A
*功率 - 最大值:543W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.48V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:12-MTP 模块
供应商器件封装:12-MTP 压入
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
VS-GB100YG120NT
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 模块 | ECONO3 4PACK |
描述:IGBT MOD 1200V 127A ECONO3 4PACK
igbt 类型:NPT
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):127A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):80µA
不同?vce 时的输入电容(cies):80µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ECONO3 4PACK
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
VS-GB150YG120NT
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 模块 | ECONO3 4PACK |
描述:IGBT MOD 1200V 182A ECONO3 4PACK
igbt 类型:NPT
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):182A
*功率 - 最大值:892W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):120µA
不同?vce 时的输入电容(cies):120µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ECONO3 4PACK
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
VS-GT120DA65U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,miniBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):167A
*功率 - 最大值:577W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):50µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.6nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
CM150RX-24S1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Powerex Inc. | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 935W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:935W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):15nF @ 10V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
VS-GB100TS120NPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-Pak | INT-A-PAK |
描述:IGBT MODULE INT-A-PAK
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):半桥
*电流 - 集电极(ic)(最大值):半桥
*功率 - 最大值:半桥
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:无
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-Pak
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
VS-VSHPS1445
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | - | - |
描述:MOSFET MODULE SIP SWITCH
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
IKB15N60T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
IKB20N65EH5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
HGT1S12N60A4DS-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGB20H65DFB2-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
VBL16I25S
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO263 |
描述:TO263;600V 25A IGBT+FRD
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO263
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
IKP15N65H5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT;TO220;600/650V;15A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
IKP15N65F5-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT;TO220;600/650V;15A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
IKP15N60T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:IGBT;TO220;600/650V;15A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|