描述:IGBT MODULE 1200V STACK A-PSF-1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1200V *功率 - 最大值:1200V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 729A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1200V *功率 - 最大值:1200V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:MODULE IGBT STACK A-MS3-1 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:三相反相器 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:三相反相器 *功率 - 最大值:三相反相器 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，1200A 电流 - 集电极截止（最大值）:2.4V @ 15V，1200A 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.4V @ 15V，1200A *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 9980W STACK A-MS3-1 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:三相反相器 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:三相反相器 *功率 - 最大值:9980W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V STACK A-MS3-1 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 1200A igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 1200A igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 1800A igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 1800A igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1800A *功率 - 最大值:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 4280A igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4280A *功率 - 最大值:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1500A *功率 - 最大值:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-IHVB190-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）:6500V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-50°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:A-IHV130-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）:6500V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:750A *功率 - 最大值:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-50°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:A-IHV190-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1kA *功率 - 最大值:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-IHVB130-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 650V 80A 220W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 155A MINIPACK2 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:155A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:MiniPack2 供应商器件封装:MiniPack2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC POWER MODULE SMD igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 730W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:730W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1