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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FZ400R65KE3NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 6500V 800A 8350W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):6500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800A
*功率 - 最大值:8350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):110nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ500R65KE3NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 6500V 1000A
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):6500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A
*功率 - 最大值:2000000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,500A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):135nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1500R33HL3BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V 1500A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A
*功率 - 最大值:17000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,1500A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FD1000R33HE3KBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V 1000A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:双制动斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A
*功率 - 最大值:11500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.1V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):190nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD1000R33HL3KBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V 1000A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A
*功率 - 最大值:11500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):190nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ800R45KL3B5NOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 4500V 1600A 9000W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):4500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1600A
*功率 - 最大值:9000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FD800R33KF2CNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V 9600W
igbt 类型:-
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3300V
*功率 - 最大值:9600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.25V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):100nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD800R33KF2CKNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V 9600W
igbt 类型:-
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):3300V
*功率 - 最大值:9600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.25V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):100nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ1200R33KF2CNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V 2000A
igbt 类型:-
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2000A
*功率 - 最大值:14500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.25V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):12mA
不同?vce 时的输入电容(cies):150nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ600R65KE3NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 6500V 1200A 2400W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):6500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:2400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):160nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1200R45HL3BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 4500V 1200A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):4500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:15000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):280nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1200R45KL3B5NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 4500V 1200A
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):4500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:13500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):280nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FD800R45KL3KB5NPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 4500V 800A 9000W
igbt 类型:-
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):4500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800A
*功率 - 最大值:9000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):185nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FD500R65KE3KNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 6500V 500A 9600W
igbt 类型:-
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):6500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500A
*功率 - 最大值:9600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,500A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):135nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ750R65KE3NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 6500V 750A A-IHV190-6
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):6500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):750A
*功率 - 最大值:14500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,750A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):205nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-50°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
2LS20017E42W34854NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE 1700V 20A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
2LS20017E42W40403NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE 1700V 20A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
6PS03012E33G34160NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 300V 234A 2100W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):三相反相器
*电流 - 集电极(ic)(最大值):三相反相器
*功率 - 最大值:2100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):2V @ 15V,300A
不同?vce 时的输入电容(cies):2V @ 15V,300A
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-25°C ~ 55°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
2PS12017E34W32132NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:MODULE IGBT STACK A-PS4-1
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):三相反相器
*电流 - 集电极(ic)(最大值):三相反相器
*功率 - 最大值:三相反相器
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-25°C ~ 55°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
2PS13512E43W39689NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 900A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:1200V
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-25°C ~ 55°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
2PS13512E43W35222NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:MODULE IGBT STACK A-PS3-1
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):三相反相器
*电流 - 集电极(ic)(最大值):三相反相器
*功率 - 最大值:三相反相器
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):2.05V @ 15V,450A
不同?vce 时的输入电容(cies):2.05V @ 15V,450A
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-25°C ~ 55°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
2PS18012E44G38553NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 2560A 5600W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2560A
*功率 - 最大值:5600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
2PS18012E44G40113NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 2560A 5600W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2560A
*功率 - 最大值:5600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-25°C ~ 60°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
2LS20017E42W36702NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE 1700V 20A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
6MS10017E41W36460BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 600A
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:1700V
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-25°C ~ 55°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|