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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FF600R17KE3NOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE 1700V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS450R17KE4BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 600A 2500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF1000R17IE4DB2BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:6250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS450R17KE3BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 605A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):605A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):40.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FD401R17KF6C_B2
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 650A 3150W igbt 类型:- *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:3150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1000A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A *功率 - 最大值:1000A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS500R17OE4DPBOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 1000A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,500A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):40nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF800R12KE3NOSA1
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1200A 3900W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:3900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):57nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF401R17KF6C_B2
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 650A 3150W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:3150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF800R17KE3NOSA1
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 4450W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:4450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):72nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS400R12A2T4IBPSA1
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 400A 1500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ2400R12HP4PHPSA1
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 AG-IHMB130-2
描述:IGBT MOD 1200V 3460A AGIHMB130-2 igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):3460A *功率 - 最大值:12500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,2.4kA 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-IHMB130-2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ2400R17HP4HOSA2
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE 1700V 400A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1800R12HE4B9HOSA2
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 2735A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):2735A *功率 - 最大值:11000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):110nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1800R12HP4B9HOSA2
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 2700A igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):2700A *功率 - 最大值:10500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,1800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):110nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF1400R17IP4PBOSA1
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1400A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A *功率 - 最大值:1400A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,1400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):110nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF800R12KF4
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 800A 5000W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):800A *功率 - 最大值:5000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):16mA 不同?vce 时的输入电容(cies):55nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ1800R17HE4B9HOSA2
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1800A igbt 类型:- *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1800A *功率 - 最大值:11500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,1800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):145nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1800R17HP4B9HOSA2
10+: 7.5936 100+: 7.4580 1000+: 7.3902 3000+: 7.1868
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1800A igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1800A *功率 - 最大值:11500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):145nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FD1200R17KE3KNOSA1
10+: 8.8592 100+: 8.7010 1000+: 8.6219 3000+: 8.3846
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 1600A 5950W igbt 类型:- *配置:双制动斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1600A *功率 - 最大值:5950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):110nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1200R17HP4B2BOSA2
10+: 8.8592 100+: 8.7010 1000+: 8.6219 3000+: 8.3846
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 7800W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:7800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1600R17HP4B21BOSA2
10+: 8.8592 100+: 8.7010 1000+: 8.6219 3000+: 8.3846
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1600A *功率 - 最大值:10500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):130nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ2400R12HE4B9HOSA2
10+: 8.8592 100+: 8.7010 1000+: 8.6219 3000+: 8.3846
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 3560A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):3560A *功率 - 最大值:13500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,2400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):150nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ2400R12HP4B9HOSA2
10+: 8.8592 100+: 8.7010 1000+: 8.6219 3000+: 8.3846
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 3550A igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):3550A *功率 - 最大值:13500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,2400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):150nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R33KF2CNOSA1
10+: 8.8592 100+: 8.7010 1000+: 8.6219 3000+: 8.3846
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 3300V 330A 2200W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):3300V *电流 - 集电极(ic)(最大值):330A *功率 - 最大值:2200W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4.25V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
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