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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FF900R12IP4VBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS300R17KE3BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 375A 1650W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):375A *功率 - 最大值:1650W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF1000R17IE4PBPSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 AG-PRIME3-1
描述:PP IHM I XHP 1 7KV igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1kA *功率 - 最大值:1000000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-PRIME3-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF900R12IE4VPBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF650R17IE4DB2BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 4150W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:4150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ1200R12HE4HOSA2
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE 1200V 1200A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1200R12HP4HOSA2
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1790A 7150W igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1790A *功率 - 最大值:7150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):74nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF650R17IE4DPB2BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 650A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:650A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF1000R17IE4DB2BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:6250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ1200R12HE4PHPSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1825A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1825A *功率 - 最大值:1825A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):74nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF900R12IP4DVBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DD1200S12H4HOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1200A igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:1200000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):2.35V @ 15V,1200A 不同?vce 时的输入电容(cies):2.35V @ 15V,1200A *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1200R17HE4HOSA2
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 7800W igbt 类型:- *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:7800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1200R17HP4HOSA2
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 7800W igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:7800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF1400R12IP4DBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1400A 7700W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A *功率 - 最大值:7700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):82nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD1400R12IP4DBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1400A 7700W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A *功率 - 最大值:7700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):82nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ1200R17HE4PHPSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1200A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:1200A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS600R07A2E3B31BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULES igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS450R17OE4PBOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 900A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1600R17HP4HOSA2
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1600A igbt 类型:沟道 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1600A *功率 - 最大值:10500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):130nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ1600R12HP4HOSA2
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE 1200V 1600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF1000R17IE4PBOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 1000A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A *功率 - 最大值:1000000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS800R07A2E3B31BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULES igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS800R07A2E3B32BOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULES igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF1400R12IP4PBOSA1
10+: 6.3280 100+: 6.2150 1000+: 6.1585 3000+: 5.9890
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1400A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A *功率 - 最大值:1400000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,1400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):82nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
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