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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FF900R12IP4VBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS300R17KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 375A 1650W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):375A
*功率 - 最大值:1650W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DF1000R17IE4PBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-PRIME3-1 |
描述:PP IHM I XHP 1 7KV
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1kA
*功率 - 最大值:1000000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-PRIME3-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF900R12IE4VPBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF650R17IE4DB2BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 4150W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:4150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ1200R12HE4HOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 1200A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1200R12HP4HOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1790A 7150W
igbt 类型:沟道
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1790A
*功率 - 最大值:7150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):74nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 650A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):650A
*功率 - 最大值:650A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:6250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ1200R12HE4PHPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1825A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1825A
*功率 - 最大值:1825A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):74nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF900R12IP4DVBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DD1200S12H4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1200A
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:1200000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):2.35V @ 15V,1200A
不同?vce 时的输入电容(cies):2.35V @ 15V,1200A
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1200R17HE4HOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
igbt 类型:-
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:7800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1200R17HP4HOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
igbt 类型:沟道
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:7800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DF1400R12IP4DBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1400A 7700W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A
*功率 - 最大值:7700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):82nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD1400R12IP4DBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1400A 7700W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A
*功率 - 最大值:7700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,1400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):82nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ1200R17HE4PHPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 1200A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:1200A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS600R07A2E3B31BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULES
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS450R17OE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 900A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1600R17HP4HOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 1600A
igbt 类型:沟道
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1600A
*功率 - 最大值:10500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,1300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):130nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ1600R12HP4HOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 1600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF1000R17IE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 1000A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1000A
*功率 - 最大值:1000000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS800R07A2E3B31BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULES
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS800R07A2E3B32BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULES
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF1400R12IP4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1400A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1400A
*功率 - 最大值:1400000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,1400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):82nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|