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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FS300R12KE3BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 500A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):500A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS660R08A6P2FLBBPSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 AG-HYBRIDD-1
描述:HYBRID PACK DRIVE igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):750V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1053W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12IE4VBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12IP4VBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF600R12IP4DVBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 1200V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS225R17KE4BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FD900R12IP4DBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:- *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF900R12IP4DBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS225R17KE3BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1400W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS770R08A6P2BBPSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 AG-HYBRIDD-1
描述:HYBRID PACK DRIVE igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):750V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:654W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS770R08A6P2LBBPSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 AG-HYBRIDD-1
描述:HYBRID PACK DRIVE igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):750V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:654W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD900R12IP4DVBOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF900R12IP4DVBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF650R17IE4PBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 650A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:650A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS450R12OE4PBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.55nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF900R12IP4PBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 900A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:900A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF900R12IE4PBOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS820R08A6P2LBBPSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):三相反相器 *电流 - 集电极(ic)(最大值):820A *功率 - 最大值:820A 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF650R17IE4VBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 4150W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:4150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF900R12IP4DBOSA2
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF900R12IE4VBOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:5100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF1000R17IE4BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:6250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD1000R17IE4BOSA2
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:6250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS300R17KE4BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 375A 1800W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):375A *功率 - 最大值:1800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS450R12KE4BOSA1
10+: 5.0624 100+: 4.9720 1000+: 4.9268 3000+: 4.7912
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 675A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):675A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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