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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FS300R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 500A 1450W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500A
*功率 - 最大值:1450W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS660R08A6P2FLBBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-HYBRIDD-1 |
描述:HYBRID PACK DRIVE
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):750V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:1053W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12IE4VBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12IP4VBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DF600R12IP4DVBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 1200V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS225R17KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1500W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):340A
*功率 - 最大值:1500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FD900R12IP4DBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:-
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DF900R12IP4DBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS225R17KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1400W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):340A
*功率 - 最大值:1400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS770R08A6P2BBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-HYBRIDD-1 |
描述:HYBRID PACK DRIVE
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):750V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:654W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS770R08A6P2LBBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-HYBRIDD-1 |
描述:HYBRID PACK DRIVE
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):750V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:654W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD900R12IP4DVBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DF900R12IP4DVBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF650R17IE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 650A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):650A
*功率 - 最大值:650A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS450R12OE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.55nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF900R12IP4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 900A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:900A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF900R12IE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS820R08A6P2LBBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):三相反相器
*电流 - 集电极(ic)(最大值):820A
*功率 - 最大值:820A
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF650R17IE4VBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 4150W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:4150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF900R12IP4DBOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF900R12IE4VBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:5100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DF1000R17IE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:6250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD1000R17IE4BOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 6250W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:6250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):81nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS300R17KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 375A 1800W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):375A
*功率 - 最大值:1800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):24.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS450R12KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 675A 2250W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):675A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|