辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FF600R12ME4CPB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-5
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP150R12KT4PBPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 150A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:150A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP150R12KT4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 150A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:150A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFS200B12N3E4B31BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 400A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF900R12ME7B11BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-5
描述:IGBT MOD 1200V 900A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容(cies):122nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F3L400R12PT4B26BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 2150W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F3L400R12PT4PB26BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 800A 20MW igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):800A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R17ME4PBOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R17ME4PB11BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS150R12KE3GBOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 695W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:695W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS225R12OE4PBOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS225R12KE4BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 320A 1100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):320A *功率 - 最大值:1100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R17KE3GBOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 240A 1050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):240A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS225R12KE3BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 325A 1150W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):325A *功率 - 最大值:1150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R12IE4BOSA2
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 2550W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:2550W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF600R12IP4DBOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF650R17IE4BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 930A 4150W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):930A *功率 - 最大值:4150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FD650R17IE4BOSA2
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 930A 4150W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):930A *功率 - 最大值:4150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS300R12OE4PNOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R17IE4BOSA2
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 620A 2800W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):620A *功率 - 最大值:2800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS660R08A6P2FBBPSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
我要买
Infineon Technologies 模块 AG-HYBRIDD-1
描述:HYBRID PACK DRIVE igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):750V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1053W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS300R12KE4BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 1600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12IE4PNOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS400R07A3E3H6BPSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 400A igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:400A 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
  共有2486个记录    每页显示25条,本页1801-1825条    73/100页    首 页    上一页   69  70  71  72  73  74  75  76  77   下一页    尾 页      
复制成功

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922