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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FF600R12ME4CPB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-ECONOD-5 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-ECONOD-5
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP150R12KT4PBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 150A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:150A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP150R12KT4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 150A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:150A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
IFS200B12N3E4B31BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 400A 940W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF900R12ME7B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-ECONOD-5 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):10µA
不同?vce 时的输入电容(cies):122nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-ECONOD-5
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F3L400R12PT4B26BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 2150W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F3L400R12PT4PB26BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 800A 20MW
igbt 类型:-
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R17ME4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R17ME4PB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS150R12KE3GBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 200A 695W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:695W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS225R12OE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 450A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS225R12KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 320A 1100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):320A
*功率 - 最大值:1100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R17KE3GBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 240A 1050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):240A
*功率 - 最大值:1050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS225R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 325A 1150W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):325A
*功率 - 最大值:1150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF450R12IE4BOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 450A 2550W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:2550W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DF600R12IP4DBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DF650R17IE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 930A 4150W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):930A
*功率 - 最大值:4150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FD650R17IE4BOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 930A 4150W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):930A
*功率 - 最大值:4150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,650A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS300R12OE4PNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF450R17IE4BOSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 620A 2800W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):620A
*功率 - 最大值:2800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS660R08A6P2FBBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-HYBRIDD-1 |
描述:HYBRID PACK DRIVE
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):750V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:1053W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):80nF @ 50V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-HYBRIDD-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS300R12KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 450A 1600W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:1600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12IE4PNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS400R07A3E3H6BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 650V 400A
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:400A
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|