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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
F4200R17N3E4BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 200A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F3L200R12N2H3B47BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONO2-8
描述:IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO igbt 类型:- *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONO2-8 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFS150B12N3E4PB50BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE LOW PWR ECONO igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R12KS4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 130A 660W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS200R12PT4PBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM300GB120DLCHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 625A 2500W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):625A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4PB72BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-5
描述:MEDIUM POWER ECONO igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:.2W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F3L300R12PT4B26COSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1650W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1650W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12ME4B11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 4050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:4050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF400R17KE4EHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 400A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:400A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R17PE4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 150A 835W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:835W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
IFS150B17N3E4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 300A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R17ME4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 600A 2500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF450R17ME4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 600A 2500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM100GD120DN2BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 680W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:680W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP150R12KT4B11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 150A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:150A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R17ME3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 605A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):605A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):40.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4PBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12ME4PB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12ME4CB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1060A 4050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1060A *功率 - 最大值:4050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF450R17ME4PB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 450A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:450A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF450R17ME4PBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 900A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4EB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 995A 4050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):995A *功率 - 最大值:4050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFF600B12ME4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-5
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4CPBPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
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