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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
F4200R17N3E4BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 200A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-ECONO2-8 |
描述:IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO
igbt 类型:-
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-ECONO2-8
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
IFS150B12N3E4PB50BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE LOW PWR ECONO
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS100R12KS4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 130A 660W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):130A
*功率 - 最大值:660W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS200R12PT4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 200A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM300GB120DLCHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 625A 2500W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):625A
*功率 - 最大值:2500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4PB72BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-ECONOD-5 |
描述:MEDIUM POWER ECONO
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:.2W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-ECONOD-5
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F3L300R12PT4B26COSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1650W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):460A
*功率 - 最大值:1650W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12ME4B11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 4050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:4050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF400R17KE4EHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 400A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:400A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R17PE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 150A 835W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:835W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
IFS150B17N3E4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 300A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF450R17ME4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 600A 2500W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF450R17ME4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 600A 2500W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM100GD120DN2BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 680W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:680W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP150R12KT4B11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 150A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:150A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF450R17ME3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 605A 2250W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥逆变器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):605A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):40.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12ME4PB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12ME4CB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1060A 4050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1060A
*功率 - 最大值:4050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF450R17ME4PB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 450A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:450A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF450R17ME4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 900A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4EB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 995A 4050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):995A
*功率 - 最大值:4050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
IFF600B12ME4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-ECONOD-5 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-ECONOD-5
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4CPBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 600V 600A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|