描述:IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 500A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:290A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227 igbt 类型:PT，沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:380A *功率 - 最大值:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:329W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，45A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B igbt 类型:沟道 *配置:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:22A *功率 - 最大值:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.03V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.07nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:EMIPAK-2B 供应商器件封装:EMIPAK-2B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B igbt 类型:沟道 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:142A *功率 - 最大值:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.06V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:EMIPAK-2B 供应商器件封装:EMIPAK-2B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 201A 600W igbt 类型:NPT *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:201A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.17V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:2.17V @ 15V，150A 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.17V @ 15V，150A *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:175°C（TJ） 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B igbt 类型:沟道 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:109A *功率 - 最大值:294W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.93V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.44nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:EMIPAK-2B 供应商器件封装:EMIPAK-2B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B igbt 类型:沟道 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:61A *功率 - 最大值:216W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.52V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:230µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.34nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:EMIPAK-1B 供应商器件封装:EMIPAK-1B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 43A ISOPLUS247 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:43A *功率 - 最大值:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:ISOPLUS247™ 供应商器件封装:ISOPLUS247™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:170A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，70A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 160A 360W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:360W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 58A 192W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:58A *功率 - 最大值:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 80A SOT227 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:78A *功率 - 最大值:360W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.78nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 90A SOT227B igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0