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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
GSID150A120T2C1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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SemiQ 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 285A 1087W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):285A *功率 - 最大值:1087W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFF300B17N2E4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 400A 1500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R12KS4CBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 70A 360W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:360W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF225R17ME4PBPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 450A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP75R12KT4PBPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R12KT3PEHOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 300A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:300A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R06ME3BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 700A 1650W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:1650W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):39nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF400R12KE3B2HOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 580A 2000W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):580A *功率 - 最大值:2000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF400R12KT3EHOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 580A 2000W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):580A *功率 - 最大值:2000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ900R12KP4HOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 900A igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:900A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R12KS4PHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 300A igbt 类型:- *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:300A 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM35GP120GBOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 45A 230W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):45A *功率 - 最大值:230W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.5nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM150GB120DN2HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 210A 1250W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):210A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):2.8mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FD600R06ME3S2BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 600A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):400nA 不同?vce 时的输入电容(cies):60nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD300R07PE4B6BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 300A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DF300R07PE4B6BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 300A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM300GA120DN2HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 430A 2500W igbt 类型:- *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):430A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5.6mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F4150R17ME4B11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 230A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):230A *功率 - 最大值:230A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFS100B12N3E4B31BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 515W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:515W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R17N3E4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 100A 600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS200R07N3E4RB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 200A 600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F4100R12KS4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 130A 660W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS100R17KE3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 145A 555W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):145A *功率 - 最大值:555W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R17N3E4BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 125A 555W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):125A *功率 - 最大值:555W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF450R12KE4PHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 450A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:450A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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