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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BSM100GB120DN2HOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 800W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM50GD120DLCBOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 85A 350W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):85A *功率 - 最大值:350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):84µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R12KT4B16BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 280W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R07N3E4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:430W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ400R12KS4PHOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 800A igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):800A *功率 - 最大值:800A 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R07PE4BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:430W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP150R07N3E4BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:430W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD600R06ME3_B11_S2
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 600A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):60nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF225R12MS4BOSA1
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描述:IGBT MOD 1200V 275A 1450W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):275A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS100R12PT4BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 135A 500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):135A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R12ME4PB11BPSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP150R07N3E4B11BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:430W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF225R17ME3BOSA1
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1400W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R12KE3B2HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 440A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):440A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R12KT4GB11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 515W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:515W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R12N2T4PBPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE LOW POWER ECONO igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM150GB120DLCHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 300A 1250W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP75R12KT4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F3L200R07PE4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 200A 680W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:680W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F3L15MR12W2M1B69BOMA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-EASY2BM-2
描述:LOW POWER EASY igbt 类型:沟道 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:.2W 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 800V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-EASY2BM-2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R12KT4B16BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF225R17ME4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM300GA120DLCHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 570A 2250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):570A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM300GA120DLCSHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 570A 2250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):570A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF225R17ME4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 450A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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