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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
BSM100GB120DN2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 800W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM50GD120DLCBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 85A 350W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):85A
*功率 - 最大值:350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):84µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP50R12KT4B16BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 280W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R07N3E4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:430W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ400R12KS4PHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 800A
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800A
*功率 - 最大值:800A
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R07PE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:430W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP150R07N3E4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:430W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD600R06ME3_B11_S2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 600V 600A 2250W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):60nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF225R12MS4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 275A 1450W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):275A
*功率 - 最大值:1450W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):15nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS100R12PT4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 135A 500W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):135A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF300R12ME4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP150R07N3E4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 150A 430W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:430W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF225R17ME3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1400W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥逆变器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):340A
*功率 - 最大值:1400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF300R12KE3B2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 440A 1450W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):440A
*功率 - 最大值:1450W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS100R12KT4GB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 515W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:515W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP75R12N2T4PBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE LOW POWER ECONO
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM150GB120DLCHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 300A 1250W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP75R12KT4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F3L200R07PE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 200A 680W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:680W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):12.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F3L15MR12W2M1B69BOMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-EASY2BM-2 |
描述:LOW POWER EASY
igbt 类型:沟道
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:.2W
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 800V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-EASY2BM-2
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP75R12KT4B16BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 385W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:385W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF225R17ME4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1500W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):340A
*功率 - 最大值:1500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM300GA120DLCHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 570A 2250W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):570A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):22nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM300GA120DLCSHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 570A 2250W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):570A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):22nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF225R17ME4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 450A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|