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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
10+: 1060.7626 100+: 1041.8205 1000+: 1032.3494 3000+: 1003.9361
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 70A 280W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R12KE3B9BOSA1
10+: 1062.0282 100+: 1043.0635 1000+: 1033.5811 3000+: 1005.1339
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 105A 355W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF150R17ME3GBOSA1
10+: 1062.3573 100+: 1043.3866 1000+: 1033.9013 3000+: 1005.4453
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 240A 1050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):240A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF225R12ME3BOSA1
10+: 1062.3573 100+: 1043.3866 1000+: 1033.9013 3000+: 1005.4453
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 325A 1150W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):325A *功率 - 最大值:1150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R12KE3B2HOSA1
10+: 1071.4063 100+: 1052.2741 1000+: 1042.7080 3000+: 1014.0096
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 295A 1050W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):295A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF300R12KE3HOSA1
10+: 1072.7226 100+: 1053.5668 1000+: 1043.9889 3000+: 1015.2553
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 480A 1470W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:1470W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF150R12MS4GBOSA1
10+: 1076.5067 100+: 1057.2834 1000+: 1047.6717 3000+: 1018.8367
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 225A 1250W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS100R06KE3BOSA1
10+: 1079.2404 100+: 1059.9683 1000+: 1050.3322 3000+: 1021.4240
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 100A 335W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:335W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BYM300A120DN2HOSA1
10+: 1087.8591 100+: 1068.4331 1000+: 1058.7201 3000+: 1029.5810
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 1000W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R07PE4BOSA1
10+: 1089.0488 100+: 1069.6015 1000+: 1059.8779 3000+: 1030.7069
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 100A 335W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:335W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF225R12ME4B11BPSA1
10+: 1096.8069 100+: 1077.2211 1000+: 1067.4282 3000+: 1038.0494
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 320A 1050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):320A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
GSID100A120T2C1
10+: 1098.2750 100+: 1078.6630 1000+: 1068.8569 3000+: 1039.4389
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SemiQ 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 640W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:640W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.7nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
GSID100A120T2C1A
10+: 1098.2750 100+: 1078.6630 1000+: 1068.8569 3000+: 1039.4389
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SemiQ 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 800W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.7nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F4100R17ME4B11BPSA1
10+: 1109.2351 100+: 1089.4274 1000+: 1079.5235 3000+: 1049.8118
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 155A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):155A *功率 - 最大值:155A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FD200R12KE3PHOSA1
10+: 1109.6275 100+: 1089.8127 1000+: 1079.9053 3000+: 1050.1831
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 200A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:200A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F475R12KS4BOSA1
10+: 1115.3100 100+: 1095.3938 1000+: 1085.4356 3000+: 1055.5613
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 500W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF225R12ME4PB11BPSA1
10+: 1122.7011 100+: 1102.6529 1000+: 1092.6288 3000+: 1062.5564
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF225R12ME4PBPSA1
10+: 1123.2200 100+: 1103.1625 1000+: 1093.1338 3000+: 1063.0475
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F475R12KS4B11BOSA1
10+: 1127.3205 100+: 1107.1898 1000+: 1097.1245 3000+: 1066.9284
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 500W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R12KE4EHOSA1
10+: 1133.7371 100+: 1113.4918 1000+: 1103.3692 3000+: 1073.0012
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R12KE4B2HOSA1
10+: 1133.7371 100+: 1113.4918 1000+: 1103.3692 3000+: 1073.0012
我要买
Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ600R12KP4HOSA1
10+: 1133.7371 100+: 1113.4918 1000+: 1103.3692 3000+: 1073.0012
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:600A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):42nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFS75B12N3E4B31BOSA1
10+: 1169.5916 100+: 1148.7060 1000+: 1138.2632 3000+: 1106.9349
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM200GA120DLCHOSA1
10+: 1178.9570 100+: 1157.9042 1000+: 1147.3778 3000+: 1115.7986
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 370A 1450W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):370A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM200GA120DLCSHOSA1
10+: 1178.9570 100+: 1157.9042 1000+: 1147.3778 3000+: 1115.7986
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 370A 1450W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):370A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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