服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FD300R06KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 600V 400A 940W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM100GB120DLCKHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 830W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:830W
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DF160R12W2H3FB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 40A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.35nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DF200R12KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1040W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:1040W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF150R12ME3GBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 200A 695W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:695W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 140A 515W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:3 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):140A
*功率 - 最大值:515W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F450R12KS4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 70A 355W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70A
*功率 - 最大值:355W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP35R12KT4B16BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 70A 210W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F450R12KS4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 70A 355W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70A
*功率 - 最大值:355W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ400R12KP4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 400A 2400W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:2400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM100GB120DN2KHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 145A 700W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):145A
*功率 - 最大值:700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP50R12KT4PBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS75R12KT4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:385W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS75R12KT4BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-ECONO2-6 |
描述:GBT MODULE 1200V 75A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-ECONO2-6
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
GSID150A120S6A4
Datasheet 规格书
ROHS
|
SemiQ | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 275A 1035W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):275A
*功率 - 最大值:1035W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP25R12KS4CBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 40A 230W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:230W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF300R06KE3B2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 600V 400A 940W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF200R12KT3EHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1050W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:1050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ400R12KE3B1HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 650A 2250W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):650A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM25GP120BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 45A 230W
igbt 类型:-
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):45A
*功率 - 最大值:230W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):20A
不同?vce 时的输入电容(cies):1.5nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS50R17KE3B17BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 82A 345W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):82A
*功率 - 最大值:345W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP50R12KT4GB15BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF200R12KE4PHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 200A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:200A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|