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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FD300R06KE3HOSA1
10+: 881.2626 100+: 865.5258 1000+: 857.6573 3000+: 834.0521
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 400A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM100GB120DLCKHOSA1
10+: 884.3380 100+: 868.5463 1000+: 860.6504 3000+: 836.9628
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 830W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:830W 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF160R12W2H3FB11BPSA1
10+: 892.1088 100+: 876.1783 1000+: 868.2130 3000+: 844.3172
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 40A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,20A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF200R12KE3HOSA1
10+: 897.0193 100+: 881.0011 1000+: 872.9920 3000+: 848.9647
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1040W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:1040W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF150R12ME3GBOSA1
10+: 898.0571 100+: 882.0204 1000+: 874.0020 3000+: 849.9469
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 695W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:695W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DDB6U180N16RRB11BPSA1
10+: 901.6641 100+: 885.5629 1000+: 877.5123 3000+: 853.3606
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 140A 515W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:3 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:515W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F450R12KS4BOSA1
10+: 916.9145 100+: 900.5411 1000+: 892.3543 3000+: 867.7941
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 70A 355W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP35R12KT4B16BOSA1
10+: 927.3811 100+: 910.8207 1000+: 902.5405 3000+: 877.6999
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 70A 210W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:210W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F450R12KS4B11BOSA1
10+: 929.2668 100+: 912.6728 1000+: 904.3757 3000+: 879.4847
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 70A 355W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ400R12KP4HOSA1
10+: 929.2668 100+: 912.6728 1000+: 904.3757 3000+: 879.4847
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 400A 2400W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:2400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM100GB120DN2KHOSA1
10+: 939.3789 100+: 922.6043 1000+: 914.2170 3000+: 889.0551
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 145A 700W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):145A *功率 - 最大值:700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R12KT4PBPSA1
10+: 947.0864 100+: 930.1742 1000+: 921.7181 3000+: 896.3497
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R12KT4B11BOSA1
10+: 964.2353 100+: 947.0168 1000+: 938.4076 3000+: 912.5799
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R12KT4BPSA1
10+: 997.2422 100+: 979.4343 1000+: 970.5303 3000+: 943.8185
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONO2-6
描述:GBT MODULE 1200V 75A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONO2-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
10+: 969.3863 100+: 952.0759 1000+: 943.4206 3000+: 917.4549
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
GSID150A120S6A4
10+: 973.0566 100+: 955.6806 1000+: 946.9925 3000+: 920.9285
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SemiQ 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 275A 1035W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):275A *功率 - 最大值:1035W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP25R12KS4CBOSA1
10+: 979.3339 100+: 961.8458 1000+: 953.1018 3000+: 926.8696
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 40A 230W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:230W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R06KE3B2HOSA1
10+: 987.9020 100+: 970.2609 1000+: 961.4404 3000+: 934.9787
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 400A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF200R12KT3EHOSA1
10+: 1007.7846 100+: 989.7885 1000+: 980.7904 3000+: 953.7962
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1050W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ400R12KE3B1HOSA1
10+: 1007.7846 100+: 989.7885 1000+: 980.7904 3000+: 953.7962
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 650A 2250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM25GP120BOSA1
10+: 1015.6693 100+: 997.5324 1000+: 988.4639 3000+: 961.2585
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 45A 230W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):45A *功率 - 最大值:230W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容(cies):1.5nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS50R17KE3B17BOSA1
10+: 1029.6415 100+: 1011.2551 1000+: 1002.0619 3000+: 974.4822
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 82A 345W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):82A *功率 - 最大值:345W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R12KT4GB15BOSA1
10+: 1031.4387 100+: 1013.0201 1000+: 1003.8109 3000+: 976.1830
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DDB6U180N16RRB37BOSA1
10+: 1035.7291 100+: 1017.2339 1000+: 1007.9863 3000+: 980.2436
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R12KE4PHOSA1
10+: 1038.7665 100+: 1020.2171 1000+: 1010.9424 3000+: 983.1183
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 200A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:200A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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