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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
BSM75GAR120DN2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 30A 235W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30A
*功率 - 最大值:235W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):400µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP35R12U1T4BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 54A 250W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):54A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP50R07N2E4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 650V 70A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70A
*功率 - 最大值:70A
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS50R12KT4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP50R06KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 600V 60A 190W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:190W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM10GP120BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 20A 100W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20A
*功率 - 最大值:100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,10A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):600pF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM75GB120DLCHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 170A 690W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):170A
*功率 - 最大值:690W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS50R12KT4B15BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
GSID150A120S3B1
Datasheet 规格书
ROHS
|
SemiQ | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM100GAL120DLCKHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 205A 835W
igbt 类型:-
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):205A
*功率 - 最大值:835W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP35R12KT4PBPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 70A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-EASY1BM-2 |
描述:LOW POWER EASY
igbt 类型:沟道
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:.2W
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):3.68nF @ 800V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-EASY1BM-2
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM75GB120DN2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):105A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1.5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP75R07N2E4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 650V 95A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):95A
*功率 - 最大值:95A
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP75R07N2E4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 650V 75A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:75A
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
GSID200A120S3B1
Datasheet 规格书
ROHS
|
SemiQ | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1595W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM15GP120BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 180W
igbt 类型:-
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:180W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS100R07N2E4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 125A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):125A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
BSM25GD120DN2BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 200W
igbt 类型:-
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:200W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):800µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 200W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:200W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):800µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP40R12KT3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):55A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP15R12KS4CBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 30A 180W
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30A
*功率 - 最大值:180W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF150R12KE3GHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF150R12KE3GB2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE VCES 1200V 150A
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ300R12KE3GHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 480A 1450W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):480A
*功率 - 最大值:1450W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|