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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BSM75GAR120DN2HOSA1
10+: 726.9606 100+: 713.9792 1000+: 707.4885 3000+: 688.0163
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 30A 235W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A *功率 - 最大值:235W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP35R12U1T4BPSA1
10+: 733.1874 100+: 720.0948 1000+: 713.5484 3000+: 693.9095
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 54A 250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):54A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP50R07N2E4BOSA1
10+: 734.3011 100+: 721.1886 1000+: 714.6323 3000+: 694.9636
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 70A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:70A 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS50R12KT4PB11BPSA1
10+: 743.7552 100+: 730.4738 1000+: 723.8331 3000+: 703.9111
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R06KE3BOSA1
10+: 750.3363 100+: 736.9374 1000+: 730.2380 3000+: 710.1397
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 600V 60A 190W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):60A *功率 - 最大值:190W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM10GP120BOSA1
10+: 759.0056 100+: 745.4520 1000+: 738.6751 3000+: 718.3446
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 20A 100W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A *功率 - 最大值:100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,10A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):600pF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM75GB120DLCHOSA1
10+: 764.4983 100+: 750.8466 1000+: 744.0207 3000+: 723.5431
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 170A 690W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):170A *功率 - 最大值:690W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS50R12KT4B15BOSA1
10+: 770.1682 100+: 756.4152 1000+: 749.5387 3000+: 728.9092
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
GSID150A120S3B1
10+: 777.6606 100+: 763.7738 1000+: 756.8304 3000+: 736.0002
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SemiQ D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3 igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM100GAL120DLCKHOSA1
10+: 789.3674 100+: 775.2715 1000+: 768.2236 3000+: 747.0798
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 205A 835W igbt 类型:- *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):205A *功率 - 最大值:835W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP35R12KT4PBPSA1
10+: 790.7342 100+: 776.6140 1000+: 769.5538 3000+: 748.3735
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 70A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
10+: 792.3668 100+: 778.2174 1000+: 771.1427 3000+: 749.9186
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Infineon Technologies 模块 AG-EASY1BM-2
描述:LOW POWER EASY igbt 类型:沟道 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:.2W 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):3.68nF @ 800V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-EASY1BM-2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM75GB120DN2HOSA1
10+: 806.8453 100+: 792.4374 1000+: 785.2334 3000+: 763.6215
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP75R07N2E4BOSA1
10+: 809.0728 100+: 794.6250 1000+: 787.4012 3000+: 765.7296
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 95A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):95A *功率 - 最大值:95A 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R07N2E4B11BOSA1
10+: 819.3621 100+: 804.7306 1000+: 797.4149 3000+: 775.4677
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 75A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:75A 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
GSID200A120S3B1
10+: 837.7639 100+: 822.8039 1000+: 815.3238 3000+: 792.8837
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SemiQ D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3 igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1595W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM15GP120BOSA1
10+: 840.9659 100+: 825.9486 1000+: 818.4400 3000+: 795.9141
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 35A 180W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:180W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R07N2E4B11BOSA1
10+: 847.1040 100+: 831.9772 1000+: 824.4138 3000+: 801.7235
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 125A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):125A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM25GD120DN2BOSA1
10+: 847.6483 100+: 832.5117 1000+: 824.9434 3000+: 802.2385
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 35A 200W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:200W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
10+: 847.6483 100+: 832.5117 1000+: 824.9434 3000+: 802.2385
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 35A 200W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:200W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP40R12KT3BOSA1
10+: 851.3185 100+: 836.1164 1000+: 828.5153 3000+: 805.7121
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):55A *功率 - 最大值:210W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP15R12KS4CBOSA1
10+: 861.2028 100+: 845.8242 1000+: 838.1349 3000+: 815.0670
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 30A 180W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A *功率 - 最大值:180W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF150R12KE3GHOSA1
10+: 869.4166 100+: 853.8913 1000+: 846.1286 3000+: 822.8407
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:780W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF150R12KE3GB2HOSA1
10+: 869.4166 100+: 853.8913 1000+: 846.1286 3000+: 822.8407
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE VCES 1200V 150A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ300R12KE3GHOSA1
10+: 869.4166 100+: 853.8913 1000+: 846.1286 3000+: 822.8407
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 480A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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