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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BSM15GD120DN2E3224BOSA1
10+: 593.8701 100+: 583.2653 1000+: 577.9629 3000+: 562.0557
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 25A 145W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:145W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP25R12KT4B11BOSA1
10+: 596.0217 100+: 585.3784 1000+: 580.0568 3000+: 564.0919
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 25A 160W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:160W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF150R12RT4HOSA1
10+: 607.5639 100+: 596.7146 1000+: 591.2899 3000+: 575.0159
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 790W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:790W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP30R06KE3BOSA1
10+: 608.7916 100+: 597.9203 1000+: 592.4847 3000+: 576.1777
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 600V 37A 125W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):37A *功率 - 最大值:125W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP25R12KT4B15BOSA1
10+: 614.1071 100+: 603.1409 1000+: 597.6578 3000+: 581.2085
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 25A 160W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:160W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM35GB120DN2HOSA1
10+: 614.8158 100+: 603.8370 1000+: 598.3475 3000+: 581.8793
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF75R12W1H4FB11BOMA2
10+: 633.9644 100+: 622.6436 1000+: 616.9832 3000+: 600.0020
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 25A 20MW igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.65V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM50GAL120DN2HOSA1
10+: 641.9376 100+: 630.4745 1000+: 624.7429 3000+: 607.5481
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 78A 400W igbt 类型:- *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):78A *功率 - 最大值:400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
10+: 643.5323 100+: 632.0406 1000+: 626.2948 3000+: 609.0573
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Infineon Technologies - -
描述:MODULE IGBT 700V EASY2B-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM15GD120DLCE3224BOSA1
10+: 656.2895 100+: 644.5701 1000+: 638.7104 3000+: 621.1312
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 35A 145W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:145W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):76µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM50GB120DLCHOSA1
10+: 669.0594 100+: 657.1120 1000+: 651.1382 3000+: 633.2170
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 115A 460W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):115A *功率 - 最大值:460W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP25R12U1T4BPSA1
10+: 675.4507 100+: 663.3891 1000+: 657.3583 3000+: 639.2659
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 39A 190W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):39A *功率 - 最大值:190W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS35R12KE3GBOSA1
10+: 676.5138 100+: 664.4332 1000+: 658.3929 3000+: 640.2720
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 55A 200W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):55A *功率 - 最大值:200W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R07U1E4BPSA1
10+: 683.3860 100+: 671.1827 1000+: 665.0810 3000+: 646.7761
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 100A 275W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:275W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP25R12KT3BOSA1
10+: 693.8652 100+: 681.4748 1000+: 675.2795 3000+: 656.6939
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 40A 155W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:155W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
BSM50GB120DN2HOSA1
10+: 697.4215 100+: 684.9676 1000+: 678.7406 3000+: 660.0597
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 78A 400W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):78A *功率 - 最大值:400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R07N2E4B11BOSA1
10+: 707.5084 100+: 694.8743 1000+: 688.5573 3000+: 669.6061
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 75A 250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DF200R12W1H3FB11BOMA1
10+: 714.9754 100+: 702.2080 1000+: 695.8243 3000+: 676.6732
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 30A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R07N2E4BOSA1
10+: 717.0004 100+: 704.1968 1000+: 697.7950 3000+: 678.5896
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 75A 250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS50R12KT4B11BOSA1
10+: 717.8610 100+: 705.0420 1000+: 698.6326 3000+: 679.4041
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R06KE3BOSA1
10+: 719.7594 100+: 706.9065 1000+: 700.4801 3000+: 681.2008
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 600V 75A 250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R07N2E4B11BOSA1
10+: 720.4301 100+: 707.5653 1000+: 701.1329 3000+: 681.8357
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 70A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:70A 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
DDB6U134N16RRB11BPSA1
10+: 721.6325 100+: 708.7462 1000+: 702.3030 3000+: 682.9736
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DDB6U100N16RRBOSA1
10+: 725.7963 100+: 712.8356 1000+: 706.3553 3000+: 686.9143
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 350W igbt 类型:- *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 20V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
BSM75GAL120DN2HOSA1
10+: 726.9606 100+: 713.9792 1000+: 707.4885 3000+: 688.0163
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W igbt 类型:- *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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