描述:IGBT MODULE 600V 75A 250W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 100A 330W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:125A *功率 - 最大值:330W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 150A 625W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 450W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，100A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 150A 690W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，100A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:单相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 290A 625W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:290A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:单相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 160A 1000W D3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，100A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 430A 935W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:430A *功率 - 最大值:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:290A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，200A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 105A 348W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 325A 1050W WB igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:325A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 600A 1500W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 500A 1400W WB igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 517W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 305A 1000W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:305A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流 - 集电极截止（最大值）:3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0